|
|
|
|
| LEADER |
01229nam0a2200277 i 4500 |
| 001 |
00A32E7C-E597-4181-B749-917BF632FCE4 |
| 010 |
|
|
|a 5-376-00483-X
|d р.2.80
|
| 100 |
|
|
|a 20081106d1988 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a MD
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Фосфид индия в полупроводниковой электронике
|e [сб. ст.]
|f АН МССР, Ин-т прикл. физики
|g [редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.) и др.]
|
| 210 |
|
|
|a Кишинев
|c Штиинца
|d 1988
|
| 215 |
|
|
|a 294с.
|c ил.
|d 21 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце ст.
|
| 606 |
|
|
|a Индий, фосфид
|x Полупроводниковые свойства
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводниковые приборы
|x Производство
|x Материалы
|
| 686 |
|
|
|a 32.843.3
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 702 |
|
1 |
|a Радауцан
|b С. И.
|g Сергей Иванович
|4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт прикладной физики
|c (Кишинев)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт прикладной физики
|c (Кишинев)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20081106
|
