|
|
|
|
LEADER |
01389nam0a2200325 i 4500 |
001 |
0462E1C0-DF94-4402-9CE8-BDDD15486B2F |
010 |
|
|
|d р.2.40
|
100 |
|
|
|a 20170109d1985 k y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a UA
|
105 |
|
|
|a a z 000#y
|
200 |
1 |
|
|a Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников
|f В. Н. Добровольский
|g АН УССР, Институт полупроводников
|
210 |
|
|
|a Киев
|c Наукова думка
|d 1985
|
215 |
|
|
|a 191с.
|c ил.
|d 22 см
|
320 |
|
|
|a Библиография: с. 176-191
|
606 |
|
|
|a МДП-структуры
|
606 |
|
|
|a Холла эффект
|
606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Поверхностные свойства
|
686 |
|
|
|a 22
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 26
|2 rugasnti
|
700 |
|
1 |
|a Добровольский
|b В. Н.
|g Валентин Николаевич
|
701 |
|
1 |
|a Литовченко
|b В. Г.
|g Владимир Григорьевич
|
711 |
0 |
2 |
|a Академия наук Украинской ССР
|
711 |
0 |
2 |
|a Институт полупроводников
|c (Киев)
|
712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Украинской ССР
|
712 |
0 |
2 |
|a Институт полупроводников
|c (Киев)
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20170109
|