|
|
|
|
LEADER |
01218nam0a2200301 i 4500 |
001 |
19B0D33F-C7F1-4378-BFB0-7C9BBF0151A8 |
010 |
|
|
|a 5-376-00453-8
|d р.1.60
|
100 |
|
|
|a 20081106d1988 |||y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a MD
|
105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
200 |
1 |
|
|a Сложные полупроводники
|f АН МССР, Ин-т прикл. физики
|g [В. Е. Тэзлэван, В. В. Цуркан, К. Г. Никифоров и др.]
|
210 |
|
|
|a Кишинев
|c Штиинца
|d 1988
|
215 |
|
|
|a 162, [1]с.
|c ил.
|d 22 см
|
300 |
|
|
|a Авт. указаны на обороте тит. л.
|
320 |
|
|
|a Библиогр. в конце глав
|
606 |
|
|
|a Полупроводниковые соединения
|
686 |
|
|
|a 32.843.3
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
701 |
|
1 |
|a Тэзлэван
|b В. Е.
|g Виктор Еманоилович
|
701 |
|
1 |
|a Цуркан
|b В. В.
|
701 |
|
1 |
|a Никифоров
|b К. Г.
|
711 |
0 |
2 |
|a Институт прикладной физики
|c (Кишинев)
|
712 |
0 |
2 |
|a Институт прикладной физики
|c (Кишинев)
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20081106
|