|
|
|
|
| LEADER |
01136nam0a2200277 i 4500 |
| 001 |
1BFFD7CB-8AF0-451C-84CE-0FEDE38A21FA |
| 010 |
|
|
|a 5-420-00046-6
|d р.2.50
|
| 100 |
|
|
|a 20110826d1988 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|d lit
|d eng
|
| 102 |
|
|
|a LT
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях
|f А. Сакалас, З. Янушкявичюс
|d Point defects in semiconductor compounds
|
| 210 |
|
|
|a Вильнюс
|c Мокслас
|d 1988
|
| 215 |
|
|
|a 153, [1]с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 300 |
|
|
|a Рез.: литов., англ.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 136-151
|
| 510 |
1 |
|
|a Point defects in semiconductor compounds
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводниковые соединения
|x Дефекты точечные
|
| 686 |
|
|
|a 22.379.2
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 29
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Сакалас
|b А. П.
|g Алоизас Пятрович
|
| 701 |
|
1 |
|a Янушкявичюс
|b З.-Р. В.
|g Зигмас-Раймундас Витаутович
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20110826
|
