|
|
|
|
LEADER |
01555nam0a2200301 i 4500 |
001 |
1F1A768F-C70F-45DE-A379-5419999F1D1F |
100 |
|
|
|a 20180329d1980 k y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a RU
|
105 |
|
|
|a a z 000#y
|
200 |
1 |
|
|a Иодат лития
|e выращивание кристаллов, их свойства и применение
|f [К. И. Авдиенко и др.] ; под общей редакцией С. В. Богданова
|g Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников
|
210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Наука, Сибирское отделение
|d 1980
|
215 |
|
|
|a 144с.
|c ил.
|d 20 см
|
320 |
|
|
|a Библиография: с. 133-144 (190 названий)
|
606 |
|
|
|a Литий, иодаты
|
686 |
|
|
|a 24
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 31
|2 rugasnti
|
701 |
|
1 |
|a Авдиенко
|b К. И.
|g Клавдия Ивановна
|
701 |
|
1 |
|a Богданов
|b С. В.
|g Сергей Васильевич
|4 070
|
701 |
|
1 |
|a Архипов
|b С. М.
|
711 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР
|b Сибирское отделение
|
711 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР
|b Сибирское отделение
|
712 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20180329
|