|
|
|
|
LEADER |
01640nam0a2200301 i 4500 |
001 |
24D5A3AA-E75E-40C5-8CF3-D34A325E86D3 |
100 |
|
|
|a 20200430d1986 k y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a BY
|
105 |
|
|
|a a z 000#y
|
200 |
1 |
|
|a Воздействие радиации на интегральные микросхемы
|f Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов
|g АН БССР, Институт физики твердого тела и полупроводников
|
210 |
|
|
|a Минск
|c Наука и техника
|d 1986
|
215 |
|
|
|a 253, [1]с.
|c ил.
|d 22 см
|
320 |
|
|
|a Библиография: с. 233-248 (325 названий). - Предметный указатель: с. 249-250
|
606 |
|
|
|a Микроэлектронные схемы интегральные
|x Действие ионизирующих излучений
|
686 |
|
|
|a 32
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 81
|2 rugasnti
|
700 |
|
1 |
|a Коршунов
|b Ф. П.
|g Федор Павлович
|
701 |
|
1 |
|a Богатырев
|b Ю. В.
|g Юрий Владимирович
|
701 |
|
1 |
|a Вавилов
|b В. А.
|g Владимир Алексеевич
|
711 |
0 |
2 |
|a Академия наук Белорусской ССР
|
711 |
0 |
2 |
|a Институт физики твердого тела и полупроводников
|c (Минск)
|
712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Белорусской ССР
|
712 |
0 |
2 |
|a Институт физики твердого тела и полупроводников
|c (Минск)
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20200430
|