|
|
|
|
LEADER |
01307nam0a2200313 i 4500 |
001 |
331B3657-CFED-405A-B9F1-5444C8DB6BEA |
010 |
|
|
|a 5-03-000130-1
|d р.4.90
|
100 |
|
|
|a 20081111d1988 |||y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a RU
|
105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
200 |
1 |
|
|a Арсенид галлия в микроэлектронике
|f под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича
|g [У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан и др.]
|
210 |
|
|
|a Москва
|c Мир
|d 1988
|
215 |
|
|
|a 555с.
|c ил.
|d 22 см
|
300 |
|
|
|a Авт. указаны на обороте тит. л.
|
320 |
|
|
|a Библиогр. в конце глав. - Предм.-имен. указ.: с. 548-552
|
606 |
|
|
|a Галлий, арсенид
|x Полупроводниковые свойства
|
606 |
|
|
|a Микроэлектронные схемы
|
686 |
|
|
|a 32.844.1
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
701 |
|
1 |
|a Уиссмен
|b У. Ф.
|g Уильям Ф.
|
701 |
|
1 |
|a Френсли
|b У.
|
701 |
|
1 |
|a Дункан
|b У.
|
702 |
|
1 |
|a Айнспрук
|b Н.
|4 340
|
702 |
|
1 |
|a Мордкович
|b В. Н.
|4 340
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20081111
|