Арсенид галлия в микроэлектронике под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича

Сохранить в:
Библиографические подробности
Другие авторы: Уиссмен У. Ф., Френсли У., Дункан У.
Тип документа: Книга
Язык:Russian
Год издания: Москва Мир 1988
Рубрика:
Ключевые слова:
LEADER 01307nam0a2200313 i 4500
001 331B3657-CFED-405A-B9F1-5444C8DB6BEA
010 |a 5-03-000130-1  |d р.4.90 
100 |a 20081111d1988 |||y0rusy02 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a ||||000zy 
200 1 |a Арсенид галлия в микроэлектронике  |f под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича  |g [У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан и др.] 
210 |a Москва  |c Мир  |d 1988 
215 |a 555с.  |c ил.  |d 22 см 
300 |a Авт. указаны на обороте тит. л. 
320 |a Библиогр. в конце глав. - Предм.-имен. указ.: с. 548-552 
606 |a Галлий, арсенид  |x Полупроводниковые свойства 
606 |a Микроэлектронные схемы 
686 |a 32.844.1  |2 rubbk 
686 |a 47  |2 rugasnti 
701 1 |a Уиссмен  |b У. Ф.  |g Уильям Ф. 
701 1 |a Френсли  |b У. 
701 1 |a Дункан  |b У. 
702 1 |a Айнспрук  |b Н.  |4 340 
702 1 |a Мордкович  |b В. Н.  |4 340 
801 0 |b ГПНТБ России  |a RU  |c 20081111