|
|
|
|
| LEADER |
01263nam0a2200277 i 4500 |
| 001 |
33A5D4CE-17CA-40F1-9931-D39E2F71ED42 |
| 010 |
|
|
|a 5-376-00487-2
|d р.1.00
|
| 100 |
|
|
|a 20110826d1988 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a MD
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Лазерные методы получения полупроводниковых структур и их исследование
|e [сб. ст.]
|f АН МССР, Ин-т прикл. физики
|g [редкол.: С. Л. Пышкин (отв. ред.) и др.]
|
| 210 |
|
|
|a Кишинев
|c Штиинца
|d 1988
|
| 215 |
|
|
|a 99, [1]с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце ст.
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводниковые пленки
|x Получение
|x Лазерные методы
|
| 606 |
|
|
|a Плазма (физ.) лазерная
|x Исследование
|
| 686 |
|
|
|a 22.379.2
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 29
|2 rugasnti
|
| 702 |
|
1 |
|a Пышкин
|b С. Л.
|g Сергей Львович
|4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт прикладной физики
|c (Кишинев)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт прикладной физики
|c (Кишинев)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20110826
|
