|
|
|
|
| LEADER |
01381nam0a2200289 i 4500 |
| 001 |
4B920479-C645-4B69-A2CD-50F1CD3BE9B2 |
| 010 |
|
|
|d р.3.00
|
| 100 |
|
|
|a 20120306d1985 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок
|f Л. Н. Александров
|g отв. ред. Л. С. Смирнов ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Наука, Сибирское отделение
|d 1985
|
| 215 |
|
|
|a 224с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 203-223 (455 назв.)
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводниковые пленки
|x Получение
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Кристаллы
|x Рост
|
| 686 |
|
|
|a 22
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 30
|a 29.19
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Александров
|b Л. Н.
|g Леонид Наумович
|
| 702 |
|
1 |
|a Смирнов
|b Л. С.
|4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20120306
|
