Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман ; под редакцией М. С. Саидова

Сохранить в:
Библиографические подробности
Автор: Карагеоргий-Алкалаев П. М.
Другие авторы: Лейдерман А. Ю.
Тип документа: Книга
Язык:Russian
Год издания: Ташкент Фан 1981
Рубрика:
Ключевые слова:
LEADER 01634nam0a2200301 i 4500
001 7626C35B-47E8-4E83-8914-A1B009A2719B
100 |a 20181122d1981 k y0rusy02 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a a z 000#y 
200 1 |a Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями  |f П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман ; под редакцией М. С. Саидова  |g Академия наук Узбекской ССР, Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1981 
215 |a 200с.  |c ил.  |d 20 см 
320 |a Библиография в конце глав 
606 |a Полупроводники  |x Фотопроводимость 
686 |a 22  |2 rubbk 
686 |a 29  |2 rugasnti 
700 1 |a Карагеоргий-Алкалаев  |b П. М.  |g Павел Михайлович 
701 1 |a Лейдерман  |b А. Ю.  |g Ада Юрьевна 
702 1 |a Саидова  |b М. С.  |4 340 
711 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР  |c (Ташкент) 
711 0 2 |a Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева  |c (Ташкент) 
712 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР  |c (Ташкент) 
712 0 2 |a Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева  |c (Ташкент) 
801 0 |b ГПНТБ России  |a RU  |c 20181122