|
|
|
|
| LEADER |
01082nam0a2200265 i 4500 |
| 001 |
779DB8C9-2C42-43CC-935B-538213D9E751 |
| 010 |
|
|
|a 5-256-00498-0
|d р.3.50
|
| 100 |
|
|
|a 20081226d1990 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников
|f А. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов
|
| 210 |
|
|
|a Томск
|c Радио и связь
|d 1990
|
| 215 |
|
|
|a 327с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 307-325 (492 назв.)
|
| 606 |
|
|
|a МДП-структуры
|x Фотоэлектрические свойства
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Зонная теория
|
| 686 |
|
|
|a 32.854.2
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Войцеховский
|b А. В.
|g Александр Васильевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Давыдов
|b В. Н.
|g Валерий Николаевич
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20081226
|
