|
|
|
|
| LEADER |
01197nam0a2200277 i 4500 |
| 001 |
7E8E7E84-69FB-476B-8996-602A48D7D7B2 |
| 010 |
|
|
|d р.1.99
|
| 100 |
|
|
|a 20121112d1972 m y0rusy02
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках
|f Б. И. Болтакс
|g АН СССР, Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
|
| 210 |
|
|
|a Ленинград
|c Наука, Ленинградское отделение
|d 1972
|
| 215 |
|
|
|a 384с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце глав
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Диффузия
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Дефекты
|
| 686 |
|
|
|a 22
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 29.19
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Болтакс
|b Б. И.
|g Борис Иосифович
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
|c (Ленинград)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
|c (Ленинград)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20121112
|
