|
|
|
|
| LEADER |
01028nam0a2200253 i 4500 |
| 001 |
904A47AB-8E4D-425A-8CD6-F875B3AFB05F |
| 010 |
|
|
|d р.0.49
|
| 100 |
|
|
|a 20131008d1962 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств
|f А. И. Бурштейн
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Физматгиз
|d 1962
|
| 215 |
|
|
|a 135с.
|c черт.
|d 20 см
|
| 225 |
2 |
|
|a Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 134-135 (40 назв.)
|
| 606 |
|
|
|a Термоэлектрические приборы полупроводниковые
|x Расчет
|
| 686 |
|
|
|a 32
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Бурштейн
|b А. И.
|g Анатолий Израилевич
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20131008
|
