|
|
|
|
| LEADER |
01184nam0a2200289 i 4500 |
| 001 |
913F755A-6E3B-4F22-B84E-2B99B4569B4E |
| 010 |
|
|
|d р.1.40
|
| 100 |
|
|
|a 20120119d1979 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a AZ
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Взаимодействие лазерного излучения с полупроводниками типа А III В VI
|f Г. Б. Абдуллаев, Э. Ю. Салаев, В. М. Салманов
|g АН АзССР, Ин-т физики
|
| 210 |
|
|
|a Баку
|c Элм
|d 1979
|
| 215 |
|
|
|a 137с.
|c ил.
|d 21 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 128-135 (264 назв.)
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводниковые соединения
|x Действие лазерного излучения
|
| 686 |
|
|
|a 2
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 29
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Абдуллаев
|b Г. М. Б.
|g Гасан Мамед Багир оглы
|
| 701 |
|
1 |
|a Салаев
|b Э. Ю.
|
| 701 |
|
1 |
|a Салманов
|b В. М.
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт физики
|c (Баку)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт физики
|c (Баку)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20120119
|
