|
|
|
|
| LEADER |
00840nam0a2200229 i 4500 |
| 001 |
B617281D-60AC-4D38-89F2-6DD85B4D6FCB |
| 100 |
|
|
|a 20170616d1983 m y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 000#y
|
| 200 |
1 |
|
|a Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем
|f Д. И. Закс
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Радио и связь
|d 1983
|
| 215 |
|
|
|a 126с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиография: с. 122-125 (70 названий)
|
| 606 |
|
|
|a Микроэлектронные схемы
|x Тепловой режим
|x Параметры
|
| 686 |
|
|
|a 32
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Закс
|b Д. И.
|g Дмитрий Иванович
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20170616
|
