|
|
|
|
| LEADER |
02306nam0a2200493 i 4500 |
| 001 |
CFCF5602-8D3B-434F-B098-7101D0D6D2E6 |
| 010 |
|
|
|a 978-5-94836-255-7
|
| 100 |
|
|
|a 20110719d2010 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
|f Учреждение Российской акад. наук, Ин-т СВЧ полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН)
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Техносфера
|d 2010
|
| 215 |
|
|
|a 430, [1]с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 300 |
|
|
|a На тит. л.: Посвящается 70-летию со дня рождения чл.-кор. РАН Владимира Григорьевича Мокерова
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце гл.
|
| 606 |
|
|
|a Электроника полупроводниковая сверхвысокочастотная
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводниковые наноструктуры
|
| 610 |
1 |
|
|a магнитное поле
|
| 610 |
1 |
|
|a висмут
|
| 610 |
1 |
|
|a гетеропереходы
|
| 610 |
1 |
|
|a магнитоплазменные колебания
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные каналы
|
| 610 |
1 |
|
|a фотоэлектрические характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a спектроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a дифрактометрия рентгеновская
|
| 610 |
1 |
|
|a резисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a квантовые ямы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный транспорт
|
| 610 |
1 |
|
|a фотолюминесценция
|
| 610 |
1 |
|
|a гетеротранзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный газ
|
| 686 |
|
|
|a 32.852
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт СВЧ полупроводниковой электроники
|c (Москва)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт СВЧ полупроводниковой электроники
|c (Москва)
|
| 801 |
|
0 |
|b Р
|a БИ
|c 20110719
|
