|
|
|
|
LEADER |
01439nam0a2200313 i 4500 |
001 |
D7A4A362-0BB0-4816-A23A-05584CC8EE86 |
010 |
|
|
|d р.3.40
|
100 |
|
|
|a 20140807d1980 m y0rusy02
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a RU
|
105 |
|
|
|a a z 000#y
|
200 |
1 |
|
|a Вопросы радиационной технологии полупроводников
|f [В. В. Болотов и др.]
|g под ред. Л. С. Смирнова ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
|
210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Наука, Сибирское отделение
|d 1980
|
215 |
|
|
|a 294с.
|c ил.
|d 22 см
|
320 |
|
|
|a Библиогр. в конце глав
|
314 |
|
|
|a Авт. указаны на обороте тит. л.
|
606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Действие ионизирующих излучений
|
686 |
|
|
|a 22
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 29
|2 rugasnti
|
701 |
|
1 |
|a Болотов
|b В. В.
|g Валерий Викторович
|
701 |
|
1 |
|a Васильев
|b А. В.
|
701 |
|
1 |
|a Двуреченский
|b А. В.
|
702 |
|
1 |
|a Смирнов
|b Л. С.
|4 340
|
711 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
712 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20140807
|