|
|
|
|
LEADER |
00940nam0a2200253 i 4500 |
001 |
E0AF9A1E-4EA0-4F2F-BBD1-C49E94DFCFCA |
010 |
|
|
|d р.0.40
|
100 |
|
|
|a 20151224d1980 k y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a RU
|
105 |
|
|
|a a z 000#y
|
200 |
1 |
|
|a Лавинный пробой p - n-перехода в полупроводниках
|f И. В. Грехов, Ю. Н. Сережкин
|
210 |
|
|
|a Ленинград
|c Энергия, Ленинградское отделение
|d 1980
|
215 |
|
|
|a 152с.
|c ил.
|d 20 см
|
320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 146-150 (82 назв.)
|
606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Пробой
|
686 |
|
|
|a 31
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 29.19.31
|2 rugasnti
|
700 |
|
1 |
|a Грехов
|b И. В.
|g Игорь Всеволодович
|
701 |
|
1 |
|a Сережкин
|b Ю. Н.
|g Юрий Никитович
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20151224
|