Лавинный пробой p - n-перехода в полупроводниках И. В. Грехов, Ю. Н. Сережкин

Сохранить в:
Библиографические подробности
Автор: Грехов И. В.
Другие авторы: Сережкин Ю. Н.
Тип документа: Книга
Язык:Russian
Год издания: Ленинград Энергия, Ленинградское отделение 1980
Рубрика:
Ключевые слова:
LEADER 00940nam0a2200253 i 4500
001 E0AF9A1E-4EA0-4F2F-BBD1-C49E94DFCFCA
010 |d р.0.40 
100 |a 20151224d1980 k y0rusy02 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 000#y 
200 1 |a Лавинный пробой p - n-перехода в полупроводниках  |f И. В. Грехов, Ю. Н. Сережкин 
210 |a Ленинград  |c Энергия, Ленинградское отделение  |d 1980 
215 |a 152с.  |c ил.  |d 20 см 
320 |a Библиогр.: с. 146-150 (82 назв.) 
606 |a Полупроводники  |x Пробой 
686 |a 31  |2 rubbk 
686 |a 29.19.31  |2 rugasnti 
700 1 |a Грехов  |b И. В.  |g Игорь Всеволодович 
701 1 |a Сережкин  |b Ю. Н.  |g Юрий Никитович 
801 0 |b ГПНТБ России  |a RU  |c 20151224