|
|
|
|
| LEADER |
01284nam0a2200289 i 4500 |
| 001 |
F495750E-F0F3-4073-BF87-3A68C2ACB0F4 |
| 010 |
|
|
|d р.1.68
|
| 100 |
|
|
|a 20150918d1972 k y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 000#y
|
| 200 |
1 |
|
|a Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3
|f Б. М. Гольцман, В. А. Кудинов, И. А. Смирнов
|g под редакцией Б. Я. Мойжеса
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1972
|
| 215 |
|
|
|a 320с.
|c ил.
|d 21 см
|
| 225 |
2 |
|
|a Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
|
| 320 |
|
|
|a Библиография: с. 307-320 (467 названий)
|
| 606 |
|
|
|a Термоэлектрические материалы полупроводниковые
|
| 686 |
|
|
|a 32
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Гольцман
|b Б. М.
|g Борис Маркович
|
| 701 |
|
1 |
|a Кудинов
|b В. А.
|g Валерий Алексеевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Смирнов
|b И. А.
|g Игорь Александрович
|
| 702 |
|
1 |
|a Мойжес
|b Б. Я.
|4 340
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20150918
|
