|
|
|
|
| LEADER |
01398nam0a2200325 i 4500 |
| 001 |
F6CA258C-4B5F-4552-8431-CB2D57CA1698 |
| 010 |
|
|
|a 5-256-00136-1
|d р.2.70
|
| 100 |
|
|
|a 20081226d1988 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Полевые транзисторы на арсениде галлия
|e принципы работы и технология изготовления
|f [П. Ф. Линдквист, У. М. Форд, Л. Холлан и др.] ; под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола; Перевод с англ. Г. В. Петрова
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Радио и связь
|d 1988
|
| 215 |
|
|
|a 494, [1]с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 300 |
|
|
|a Авт. указаны в огл.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 439-490
|
| 606 |
|
|
|a Триоды полупроводниковые полевые
|
| 606 |
|
|
|a Галлий, арсенид
|x Полупроводниковые свойства
|
| 686 |
|
|
|a 32.852.3
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 701 |
|
1 |
|a Линдквист
|b П. Ф.
|
| 701 |
|
1 |
|a Форд
|b У. М.
|
| 701 |
|
1 |
|a Холлан
|b Л.
|
| 702 |
|
1 |
|a Ди Лоренцо
|b Д. В.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Канделуол
|b Д. Д.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Петров
|b Г. В.
|4 730
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20081226
|
