Измерение электрофизических параметров полупроводниковых материалов и структур зондовыми методами

Подробно рассмотрен четырехзондовый метод и его модификации, в частности метод Ван дер Пау, для определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур. Приведены основные методы расчета и представлены справочные данные для частных случаев измерения. Рассмотрены различные модифи...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Авторы: Голубев, Виктор Иванович, Усков, Виктор Афанасьевич
Тип документа: Книга
Язык:Russian
Год издания: УдГУ 1989
Online-ссылка:http://eanbur.unatlib.ru/handle/123456789/7890
Ключевые слова:
Подробно рассмотрен четырехзондовый метод и его модификации, в частности метод Ван дер Пау, для определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур. Приведены основные методы расчета и представлены справочные данные для частных случаев измерения. Рассмотрены различные модификации метода сопротивления растекания (одно-, двух- и трехзондовый) в применении к исследованию однородных и неоднородных полупроводниковых материалов и структур. Разбирается выбор граничных условий и различные методы решения конкретных задач. Предназначено для студентов, инженеров-физиков и технологов, занимающихся измерением электрофизических параметров полупроводниковых материалов и структур.