Измерение электрофизических параметров полупроводниковых материалов и структур зондовыми методами
Подробно рассмотрен четырехзондовый метод и его модификации, в частности метод Ван дер Пау, для определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур. Приведены основные методы расчета и представлены справочные данные для частных случаев измерения. Рассмотрены различные модифи...
Сохранить в:
| Авторы: | , |
|---|---|
| Тип документа: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Год издания: |
УдГУ
1989
|
| Online-ссылка: | http://eanbur.unatlib.ru/handle/123456789/7890 |
| Ключевые слова: |
Подробно рассмотрен четырехзондовый метод и его модификации, в частности метод Ван дер Пау, для определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур. Приведены основные методы расчета и представлены справочные данные для частных случаев измерения.
Рассмотрены различные модификации метода сопротивления растекания (одно-, двух- и трехзондовый) в применении к исследованию однородных и неоднородных полупроводниковых материалов и структур. Разбирается выбор граничных условий и различные методы решения конкретных задач.
Предназначено для студентов, инженеров-физиков и технологов,
занимающихся измерением электрофизических параметров полупроводниковых
материалов и структур.