|
|
|
|
| LEADER |
01569nam0a2200325 i 4500 |
| 001 |
3F907B74-DBDB-4A90-851B-9565A3B06FB0 |
| 100 |
|
|
|a 20171011d1982 k y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 000#y
|
| 200 |
1 |
|
|a Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
|f А. В. Двуреченский [и др.] ; [ответственный редактор А. В. Ржанов]
|g Академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1982
|
| 215 |
|
|
|a 208с.
|c ил.
|d 21 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце глав
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Легирование ионное
|
| 686 |
|
|
|a 32
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 29.19.31
|2 rugasnti
|
| 701 |
|
1 |
|a Двуреченский
|b А. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Качурин
|b Г. А.
|
| 701 |
|
1 |
|a Нидаев
|b Е. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Смирнов
|b Л. С.
|
| 702 |
|
1 |
|a Ржанов
|b А. В.
|g Анатолий Васильевич
|4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР
|b Сибирское отделение
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР
|b Сибирское отделение
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20171011
|
