Пропуск в контексте
Toggle navigation
Eдиный поиск по ресурсам
Оставить отзыв
Профиль
Выход
Логин
Язык
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
НЭБ УР
Интернет-проекты
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
ISBN/ISSN
Ключевые слова
Fulltext
Найти
Расширенный поиск
Глубокие примесные уровни в ши...
Описание
Цитировать
Отправить на Email
Добавить в Избранное
Заказать по ЭДД
Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман
Сохранить в:
Библиографические подробности
Автор:
Карагеоргий-Алкалаев П. М.
Другие авторы:
Лейдерман А. Ю.
Тип документа:
Книга
Язык:
Russian
Год издания:
Ташкент Фан 1971
Рубрика:
Физика
Ключевые слова:
Полупроводники Физика
Фонды
Описание
Комментарии
Схожие документы
Marc-запись
Недоступно описание.
Схожие документы
Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках
Автор: Винецкий В. Л.
Год издания: (1969)
Квантовая теория эффекта Холла в полупроводниках и полуметаллах
Автор: Новокшонов С. Г.
Год издания: (1980)
Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями
Автор: Карагеоргий-Алкалаев П. М.
Год издания: (1981)
Диффузия в полупроводниках
Автор: Болтакс Б. И.
Год издания: (1961)
Фотоэлектретный эффект в полупроводниках
Автор: Ковальский П. Н.
Год издания: (1977)
×
Загрузка...