Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман

Сохранить в:
Библиографические подробности
Автор: Карагеоргий-Алкалаев П. М.
Другие авторы: Лейдерман А. Ю.
Тип документа: Книга
Язык:Russian
Год издания: Ташкент Фан 1971
Рубрика:
Ключевые слова:
LEADER 01496nam0a2200289 i 4500
001 5A8892DF-D4F3-4172-BE1C-27257F1215A3
100 |a 20181122d1971 k y0rusy02 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a a z 000#y 
200 1 |a Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках  |f П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман  |g Академия наук Узбекской ССР, Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1971 
215 |a 204с.  |c черт.  |d 21 см 
320 |a Библиография в конце глав 
606 |a Полупроводники  |x Физика 
686 |a 22  |2 rubbk 
686 |a 29  |2 rugasnti 
700 1 |a Карагеоргий-Алкалаев  |b П. М.  |g Павел Михайлович 
701 1 |a Лейдерман  |b А. Ю.  |g Ада Юльевна 
711 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР  |c (Ташкент) 
711 0 2 |a Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева  |c (Ташкент) 
712 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР  |c (Ташкент) 
712 0 2 |a Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева  |c (Ташкент) 
801 0 |b ГПНТБ России  |a RU  |c 20181122