|
|
|
|
LEADER |
01496nam0a2200289 i 4500 |
001 |
5A8892DF-D4F3-4172-BE1C-27257F1215A3 |
100 |
|
|
|a 20181122d1971 k y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a UZ
|
105 |
|
|
|a a z 000#y
|
200 |
1 |
|
|a Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках
|f П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман
|g Академия наук Узбекской ССР, Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева
|
210 |
|
|
|a Ташкент
|c Фан
|d 1971
|
215 |
|
|
|a 204с.
|c черт.
|d 21 см
|
320 |
|
|
|a Библиография в конце глав
|
606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Физика
|
686 |
|
|
|a 22
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 29
|2 rugasnti
|
700 |
|
1 |
|a Карагеоргий-Алкалаев
|b П. М.
|g Павел Михайлович
|
701 |
|
1 |
|a Лейдерман
|b А. Ю.
|g Ада Юльевна
|
711 |
0 |
2 |
|a Академия наук Узбекской ССР
|c (Ташкент)
|
711 |
0 |
2 |
|a Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева
|c (Ташкент)
|
712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Узбекской ССР
|c (Ташкент)
|
712 |
0 |
2 |
|a Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева
|c (Ташкент)
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20181122
|