Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло Л. Н. Александров, Р. В. Бочкова, А. Н. Коган, Н. П. Тихонова

Сохранить в:
Библиографические подробности
Другие авторы: Александров Л. Н., Бочкова Р. В., Коган А. Н., Тихонова Н. П.
Тип документа: Книга
Язык:Russian
Год издания: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1991
Рубрика:
Ключевые слова:
LEADER 01835nam0a2200337 i 4500
001 61ED1A00-9FA0-49E6-B6FE-B7929D4790D7
010 |a 5-02-029696-1  |d р.2.90 
100 |a 20110826d1991 m y0rusy02  
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a ||||000zy 
200 1 |a Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло  |f Л. Н. Александров, Р. В. Бочкова, А. Н. Коган, Н. П. Тихонова  |g отв. ред. С. И. Стенин ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников 
210 |a Новосибирск  |c Наука, Сибирское отделение  |d 1991 
215 |a 165, [2]с.  |c ил.  |d 21 см 
320 |a Библиогр.: с. 151-162 (257 назв.). - Указ. предм., авт.: с. 163-166 
606 |a Полупроводники  |x Кристаллы  |x Рост  |x Статистические методы изучения 
606 |a Полупроводники  |x Легирование  |x Статистические методы изучения 
606 |a Полупроводниковые пленки  |x Получение 
686 |a 22.379.2  |2 rubbk 
686 |a 29  |2 rugasnti 
701 1 |a Александров  |b Л. Н.  |g Леонид Наумович 
701 1 |a Бочкова  |b Р. В. 
701 1 |a Коган  |b А. Н. 
701 1 |a Тихонова  |b Н. П. 
702 1 |a Стенин  |b С. И.  |4 340 
711 0 2 |a Институт физики полупроводников  |c (Новосибирск) 
712 0 2 |a Институт физики полупроводников  |c (Новосибирск) 
801 0 |b ГПНТБ России  |a RU  |c 20110826