|
|
|
|
LEADER |
01835nam0a2200337 i 4500 |
001 |
61ED1A00-9FA0-49E6-B6FE-B7929D4790D7 |
010 |
|
|
|a 5-02-029696-1
|d р.2.90
|
100 |
|
|
|a 20110826d1991 m y0rusy02
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a RU
|
105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
200 |
1 |
|
|a Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло
|f Л. Н. Александров, Р. В. Бочкова, А. Н. Коган, Н. П. Тихонова
|g отв. ред. С. И. Стенин ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
|
210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Наука, Сибирское отделение
|d 1991
|
215 |
|
|
|a 165, [2]с.
|c ил.
|d 21 см
|
320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 151-162 (257 назв.). - Указ. предм., авт.: с. 163-166
|
606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Кристаллы
|x Рост
|x Статистические методы изучения
|
606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Легирование
|x Статистические методы изучения
|
606 |
|
|
|a Полупроводниковые пленки
|x Получение
|
686 |
|
|
|a 22.379.2
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 29
|2 rugasnti
|
701 |
|
1 |
|a Александров
|b Л. Н.
|g Леонид Наумович
|
701 |
|
1 |
|a Бочкова
|b Р. В.
|
701 |
|
1 |
|a Коган
|b А. Н.
|
701 |
|
1 |
|a Тихонова
|b Н. П.
|
702 |
|
1 |
|a Стенин
|b С. И.
|4 340
|
711 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
712 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20110826
|