|
|
|
|
| LEADER |
01266nam0a2200277 i 4500 |
| 001 |
66555951-AA7D-4B1C-B3FE-78A4AB3BD9A8 |
| 010 |
|
|
|d р.2.00
|
| 100 |
|
|
|a 20150825d1967 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 000#y
|
| 200 |
1 |
|
|a Физико-химические основы легирования полупроводников
|f В. М. Глазов, В. С. Земсков
|g АН СССР, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1967
|
| 215 |
|
|
|a 371с.
|c ил.
|d 26 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 353-364 (638 назв.). - Предм. указ.: с. 365-367
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Легирование
|x Физико-химические основы
|
| 686 |
|
|
|a 34
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 53
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Глазов
|b В. М.
|g Василий Михайлович
|
| 701 |
|
1 |
|a Земсков
|b В. С.
|g Виктор Сергеевич
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт металлургии им. А. А. Байкова
|c (Москва)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт металлургии им. А. А. Байкова
|c (Москва)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20150825
|
