Пропуск в контексте
Toggle navigation
Eдиный поиск по ресурсам
Оставить отзыв
Профиль
Выход
Логин
Язык
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
НЭБ УР
Интернет-проекты
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
ISBN/ISSN
Ключевые слова
Fulltext
Найти
Расширенный поиск
Физико-химические основы легир...
Комментарии
Цитировать
Отправить на Email
Добавить в Избранное
Заказать по ЭДД
Физико-химические основы легирования полупроводников В. М. Глазов, В. С. Земсков
Сохранить в:
Библиографические подробности
Автор:
Глазов В. М.
Другие авторы:
Земсков В. С.
Тип документа:
Книга
Язык:
Russian
Год издания:
Москва Наука 1967
Рубрика:
Легирование
Физико-химические основы
Ключевые слова:
Полупроводники Легирование Физико-химические основы
Фонды
Описание
Комментарии
Схожие документы
Marc-запись
Ваш комментарий будет первым!
Ваш комментарий
Сначала войдите в систему
Схожие документы
Физико-химические основы рационального легирования сталей и сплавов
Автор: Ершов Г. С.
Год издания: (1982)
Свойства легированных полупроводниковых материалов
Год издания: (1990)
Физико-химические основы оплодотворения
Автор: Дорфман В. А.
Год издания: (1963)
Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов
Автор: Беляев А. И.
Год издания: (1973)
Расплавы металлургии полупроводников
Год издания: (1991)
×
Загрузка...