|
|
|
|
| LEADER |
01026nam0a2200253 i 4500 |
| 001 |
8305AD53-5E2B-41DD-AA49-E6E5C46F96AD |
| 010 |
|
|
|a 5-256-00740-8
|d р.1.00
|
| 100 |
|
|
|a 20081114d1990 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
|f А. В. Черняев
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Радио и связь
|d 1990
|
| 215 |
|
|
|a 85, [2]с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 83-86 (66 назв.)
|
| 606 |
|
|
|a Галлий, арсенид
|x Легирование ионное
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводниковые приборы
|x Производство
|
| 686 |
|
|
|a 32.852
|a 32.844.15
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Черняев
|b А. В.
|g Александр Владимирович
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20081114
|
