|
|
|
|
| LEADER |
01395nam0a2200301 i 4500 |
| 001 |
A576D5AE-49E2-445B-A2A1-45A6D75830AE |
| 010 |
|
|
|d р.1.00
|
| 100 |
|
|
|a 20120306d1979 m y0rusy02
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках
|f Л. Н. Александров, М. И. Зотов ; отв. ред. Л. С. Смирнов
|g АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Наука, Сибирское отделение
|d 1979
|
| 215 |
|
|
|a 159с.
|c ил.
|d 21 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 149-158 (188 назв.)
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Трение внутреннее
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Дефекты
|
| 686 |
|
|
|a 22
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 29
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Александров
|b Л. Н.
|g Леонид Наумович
|
| 701 |
|
1 |
|a Зотов
|b М. И.
|g Михаил Иванович
|
| 702 |
|
1 |
|a Смирнов
|b Л. С.
|4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20120306
|
