|
|
|
|
LEADER |
01126nam0a2200253 i 4500 |
001 |
45DA61E0-3E0A-4041-8A4D-589F2D0219E7 |
010 |
|
|
|a 5-648-00390-0
|d р.2.10
|
100 |
|
|
|a 20081106d1989 |||y0rusy02 ca
|
101 |
0 |
|
|a rus
|
102 |
|
|
|a UZ
|
105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
200 |
1 |
|
|a Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
|f В. В. Харченко
|g АН УзССР, Центр. проект.-конструкт. и технол. бюро науч. приборостроения
|
210 |
|
|
|a Ташкент
|c Фан
|d 1989
|
215 |
|
|
|a 167, [1]с.
|c ил.
|d 22 см
|
320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 157-166 (180 назв.)
|
606 |
|
|
|a Кремний
|x Осаждение из газовой фазы
|
606 |
|
|
|a Полупроводниковые пленки
|x Выращивание
|
686 |
|
|
|a 32.844.1
|a 32.852
|2 rubbk
|
686 |
|
|
|a 47
|2 rugasnti
|
700 |
|
1 |
|a Харченко
|b В. В.
|g Валерий Владимирович
|
801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20081106
|