|
|
|
|
| LEADER |
01103nam0a2200277 i 4500 |
| 001 |
A86141CA-0473-472D-8B47-885ED8C895E7 |
| 010 |
|
|
|d р.2.90
|
| 100 |
|
|
|a 20130219d1981 |||y0rusy02 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a ||||000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
|f В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1981
|
| 215 |
|
|
|a 368с.
|c ил.
|d 20 см
|
| 225 |
2 |
|
|a Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 332-360, 367-368 (30 назв.)
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Дефекты
|
| 686 |
|
|
|a 22
|2 rubbk
|
| 686 |
|
|
|a 29.19
|2 rugasnti
|
| 700 |
|
1 |
|a Вавилов
|b В. С.
|g Виктор Сергеевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Кив
|b А. Е.
|g Арик Ефимович
|
| 701 |
|
1 |
|a Ниязова
|b О. Р.
|g Озод Рахимовна
|
| 801 |
|
0 |
|b ГПНТБ России
|a RU
|c 20130219
|
